罗求发

2022-03-28

 

个人简介:

罗求发,男,工学博士,硕士生导师。2018年7月博士毕业后进入一家高新科技型企业,负责第三代半导体SiC材料和器件的研发制造与产业化项目;2020年1月加入华侨大学制造工程研究院,主要从事新型半导体材料器件的精密加工技术及相关工具设计开发研究,主持了国家自然科学基金青年科学基金项目和福建省自然科学基金青年项目各1项,参与国家自然科学基金面上项目3项,发表高水平科技论文(SCI、EI收录)16篇,申请发明/实用新型专利19件,授权11件。承担了《纳米科学与技术》、《微纳制造技术》、《先进制造技术》等课程的教学任务。


主要任职:

华侨大学,制造工程研究院,讲师

《金刚石与磨料磨具工程》 青年编委

中国机械工程学会 高级会员

第三代半导体青年创新促进委员会 委员


研究方向:

高效精密加工


研究领域:

半导体衬底和芯片的超精密加工技术;

新型半导体器件的精密加工技术;

新型磨抛工具的设计及制备技术;


学习工作经历:

(1) 2020-01至今, 华侨大学, 制造工程研究院, 讲师;

(2) 2018-07至2019-12, 厦门芯光润泽科技有限公司, 碳化硅衬底事业部,项目负责人;

(3) 2014-09至2018-07, 华侨大学, 机电及自动化学院, 博士

(4) 2008-09至2012-06, 华侨大学, 机电及自动化学院,学士


主持或参与的科研项目:

(1)国家自然科学基金青年项目,52005190,磨粒划擦诱导工件水反应的碳化硅芯片背面减薄磨削新方法研究,2021-01至2023-12,24万元,在研,主持;

(2)福建省自然科学基金青年项目,2021J0121,SiC晶圆的水反应磨削减薄机理研究,2021-11至2024-11,4万元,在研,主持;

(3)国家自然科学基金面上项目,51475175,硬核软壳纳米复合磨粒的半固结柔性加工技术基础研究,80万元,2015-01至2018-12,结题,参与;

(4)国家自然科学基金面上项目,51575197, LED半导体基片研磨工具制备新方法和及其加工机理研究,78万元,2016-01至2019-12,结题,参与;

(5)国家自然科学基金面上项目,51675192,大尺寸金刚石磨盘超声辅助行星磨削SiC晶片关键技术基础研究,62万元,2017-01至2020-12,结题,参与;


主要论著与学术论文:

代表性学术论文:

(1) Luo Qiufa, Wen Hailang, Lu Jing.

Sol-gel polishing technology for extremely hard semiconductor substrates, International Journal of Advanced Manufacturing Technology, Published online, 2022, DOI: 10.1007/s00170-022-08771-7 (SCI三区,IF=3.226)

(2) Luo Qiufa, Lu Jing, Zige Tian, Feng Jiang.  Controllable material removal behavior of 6H-SiC wafer in nanoscale polishing, Applied Surface Science, 2021, 562: 150219. ( SCI二区Top,IF=6.707)

(3) 罗求发, 陆静, 林莹超, 俞能跃. 单层磨料凝胶抛光垫的加工性能研究[J]. 表面技术, 2021, 50(12): 101-110. (EI)

(4) Luo Qiufa, Lu Jing, Li Zhen, Wang Jian. Fabrication of a sol-gel polishing tool for green manufacturing of the seal stone, Journal of Sol-Gel Science and Technology, 2020, 96: 576-588. ( SCI四区,IF=2.326)

(5) Qiufa Luo, Jing Lu, Xipeng Xu. A comparative study on the material removal mechanisms of 6H-SiC polished by semi-fixed and fixed diamond abrasive tools, Wear, 2016, 350-351: 99-106. (SCI三区,IF=2.950)

(6) Qiufa Luo, Jing Lu, Xipeng Xu. Study on the processing characteristics of SiC and sapphire substrates polished by semi-fixed and fixed abrasive tools, Tribology International, 2016, 104: 191-203. (SCI二区,IF=3.517)

(7) Qiufa Luo, Jing Lu, Xipeng Xu, Feng Jiang. Removal mechanism of sapphire substrates (0001, 11-20 and 10-10) in mechanical planarization machining, Ceramics International, 2017, 43: 16178-16184. (SCI二区Top,IF=3.450)

(8) Jing Lu, Qiufa Luo, Xianyan Mao, Xipeng Xu, Yanhui Wang, Hua Guo. Fabrication of a resin-bonded ultra-fine diamond abrasive polishing tool by electrophoretic co-deposition for SiC processing, Precision Engineering, 2017, 47: 353-361. (SCI三区, IF=2.685)

(9) Jing Lu, Qiufa Luo, Xipeng Xu, Hui Huang, Feng Jiang. Removal mechanism of 4H- and 6H-SiC substrates (0001 and 000-1) in mechanical planarization machining,  Proceedings of the Institution of Mechanical Engineers Part B-Journal of Engineering Manufacture, 2019, 233(1) 69-76. (SCI四区,IF=1.752)

(10) 陆静, 罗求发, 宋运运, 胡光球, 徐西鹏. 凝胶结合剂超细金刚石磨粒工具的制备及应用, 机械工程学报, 2015, 51(15): 205-212. (EI)


主要授权专利:

(1) 一种硬核软壳复合磨料及其制备方法和应用,  ZL201510743043.3, 2019. (发明专利)

(2) Composite abrasive with hard core and soft shell, manufacturing method and application method,  US10577525B2, 2020. (美国专利)

(3) 磨料与晶圆衬底摩擦化学反应的实现装置,CN 214923387 U, 2021. (实用新型)

(4) 碳化硅晶棒多线切割方法, CN109760223B, 2021. (发明专利)

(5) 碳化硅晶棒多线切割方法, CN109866347B, 2021. (发明专利)

(6) 碳化硅晶棒多线切割方法, CN109808092B, 2022. (发明专利)

(7) 脆硬性材料磨抛加工设备, CN214559846U, 2021. (实用新型)

(8) 一种大尺寸单晶金刚石的磨削方法, CN110774118B, 2021. (发明专利)

(9) 一种大尺寸单晶金刚石的抛光方法, CN110774153B, 2022. (发明专利)

(10) 用于自旋转磨抛机的单晶金刚石家具, CN214323013U, 2021. (实用新型)

(11) 一种金刚石磨抛一体化的加工设备, CN215357784U, 2021. (实用新型)


联系方式:

联系电话:13774676936

电子邮箱:qfluo2014@hqu.edu.cn

制造工程研究院主页:http://ime.hqu.edu.cn


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